BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN Aluminum Nitride Wafer

• Model                                                           UTI-AlN-10x10B-single crystal
• Diameter                                                           10x10±0.5mm ； or dia10mm,  dia25.4mm, or dia30mm, or dia45mm; 
• Substrate thickness (µm)                                      400 ± 50
• Orientation                                                        C-axis [0001] +/- 0.5°

     Quality Grade              S-grade(super)    P-grade(production)       R-grade(Research) 

• Cracks                                                  None                      None                                   <3mm 
• FWHM-2θXRD@(0002)                  <150                            <300                                    <500
• FWHM-HRXRD@(10-12)                 <100                         <200                                     <400
• Surface Roughness [5×5µm] (nm)          Al-face  CMP <0.5nm;     N-face(back surface) MP <1.2um; 
• Usable area                                       90%
• Absorbance                              <50 ；                   <70 ；                              <100；
• 1st  OF length orientation                                         {10-10} ±5°；
• TTV (µm)                                                                       ≤30
• Bow (µm)                                                                        ≤30
• Warp (µm)                                                                    -30~30
• Note: These characterization results may vary slightly depending on the equipments and/or software employed